CPO商轉元年出運股 輝達H200受惠股出列

臺股示意資料照片。 路透

文．張興華

輝達(NVDA)執行長黃仁勳結束元月底以來的訪臺行程，受美股於期間漲跌互見影響，以及臺股指數創新高後的修正走勢，臺股未如預期掀起「仁來瘋」效應，不過黃仁勳於元月31日晚間，在邀請AI供應鏈高層的「兆元宴」中透露，輝達今年對晶片需求持續增加，未來十年臺積電(2330)晶片產能將成長100%，其中輝達的需求就翻倍成長。

市場解讀輝達今年晶片有倍增的成長動能，除了新一代Vera Rubin平臺架構下的晶片外，也爲H200晶片後續出口中國埋下伏筆，一旦中國解禁，更被視爲臺廠供應鏈的一大紅利。

輝達擬建第二座總部 打造在臺灣最完整AI基地

黃仁勳1月29日至2月2日的訪臺行程，臺股及臺廠供應鏈因盤勢修正關係，並未實質掀起預期的「仁來瘋」效應，但從其本次行程中大致歸納出幾項核心重點，包括輝達除了在北士科T17、T18原有土地上，計劃打造「星艦3.0」的臺灣企業總部外，也計劃再於北士科西側的洲美國小預訂地，增設興建輝達第二座總部，企圖打造輝達在臺灣最完整的AI基地，目的在就近串聯周邊臺廠供應鏈，將羣聚效應發揮至極大化。

此外，黃仁勳表示，全球AI基礎建設需求強到難以想像，新一代Vera Rubin平臺需求極爲強勁，且Vera Rubin爲首個所有關鍵晶片全新設計，包括Vera CPU、Rubin GPU、CX8網路晶片、NVLink交換器、Spectrum-X交換器與BlueField DPU等，目前都已進入全面量產階段，且與臺廠供應鏈合作進展順利，並盛讚臺積電的執行力。

輝達晶片需求還要翻倍 「兆元宴」固樁意味濃厚

黃仁勳於宴請臺廠供應鏈高層的「兆元宴」中致詞時透露，輝達對晶片的需求持續增加，未來十年臺積電的晶片產能將成長100%，其中僅輝達的需求也是翻倍增加。

面對黃仁勳多次強調輝達今年對晶片的需求成長倍增，國內券商法人評估認爲，Vera Rubin平臺今年進入量產階段，對臺積電N3先進製程與先進封裝(CoWoS)的產能需求也將持續倍增，預期將帶動臺股供應鏈中的先進封裝、測試，以及相關的載板、散熱、電源供應等出貨與營收動能。

而爲確保相關供應鏈生產製程能夠順利與穩定出貨，此行安排「兆元宴」的固樁意味濃厚。

至於市場關注美國政府覈准輝達H200晶片銷往中國市場部分，於黃仁勳1月29日抵臺前夕，路透社報導中國已正式批准輝達H200晶片的進口申請一事，黃仁勳抵臺後澄清表示，該項報導爲假新聞。

他說，目前H200的相關進口許可，仍在最終審覈階段，中國方面尚未正式覈准，也未收到任何訂單。

理周投研部指出，輝達H200晶片爲原先銷住中國H20晶片的進階版，且爲輝達旗下功能第二強的AI晶片，川普政府爲保持美國AI市場競爭優勢，一度禁止H200出口至中國，經過黃仁勳去年底赴海湖莊園與川普洽談後，川普態度出現轉折，於今年1月13日覈准H200有條件銷往中國，並採取25%關稅分潤機制。不過隨後中國海關卻意外宣佈禁止H200輸入。

分析中國限制H200晶片輸入，主要系扶持其本土半導體產業有關，但實際上目前華爲等廠生產的晶片效能，僅達H20的功率，以H200高階算力標準，若與前一代H20比較，兩者相差6.7倍功效。

※精彩全文，詳見《理財週刊》1328期，2026.02.05出刊。

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