科學園區用地增2千公頃 劍指未來3～4製程世代

蘇振綱23日指出，爲維持臺灣在半導體與AI產業的國際領先地位，避免因用地不足而喪失設廠機會，超前預期至2050年新增科學園區2,000公頃用地至7,440公頃。由於半導體先進製程複雜度與設備密度大幅提升，需預留大面積基地，初估1個世代(含廠房、附屬設施、上下游產業鏈)約需250～300公頃產業用地，以科學園區產業用地佔比50％計算，每1個世代所需園區總面積約500～600公頃，需預留足夠基地，以支撐未來3至4個製程世代的升級與產線擴充。

對於外界質疑大量用地面積以及環團的疑慮，蘇振綱強調，相關需求與推估均是來自產業界的回饋，也希望以吸引來臺設廠來規劃，且除AI、半導體等熱門產業外，也望眼量子、智慧機器人等未來趨勢產業。雖然政策環評沒有強制力，但蘇振綱強調，後續開發時還都會有個案環評，來進行審查。

同時，國科會23日修正與補充相關資料，對於環保相關議題加嚴規定。國科會表示，在減碳淨零目標上，製造部門已設定短期目標2030年相較2005年減量18％，中期2040年園區以減量40％爲目標及長期以2050年淨零排放爲目標。

空污相關規定上，於2035年、2045年及2050年，訂定揮發性有機物(VOCs)降低10％、15％及20％，酸鹼氣體降低20％、40％及60％；此外，對半導體制造業排放要求，揮發性有機物(VOCs)排放削減率提升至96％(法規95％)或排放濃度10 ppm以下，酸性氣體(硝酸、鹽酸、磷酸、氫氟酸、硫酸)削減率提升至97％(法規96％)或排放濃度0.3 ppm以下。

晶圓加工業者尤其臺積電、與光電業者也在水電、廢棄物等再利用方面承擔更多企業責任。國科會表示，在再生水方面，當區外再生水廠（市政再生水）供應水質水量符合積體電路先進製程廠商用水需求時，將要求廠商除民生用水外，朝使用100％再生水爲目標。同時，回收率方面，積體電路製造及光電製造廠商製程用水回收率目標設定於2030年達86％，另針對積體電路先進製程廠商，於100％使用再生水（民生用水除外）且計入回收水量後，可提升製程用水回收率至90％。

再生能源方面，新設(含擴建)園區積體電路先進製程廠商於自建廠房量產後，每年取得前一年度實際用電量(度數，kWh)之25％再生能源（設置再生能源發電設備或購買再生能源憑證），以2040 年起取得45％再生能源及2050年起取得100％再生能源爲目標，並依國家政策法令及再生能源發展情況滾動檢討調整。

此外，在資源循環方面，積體電路製造業整體再利用率原承諾86％，營運三年後提升至93％，園區全量運轉後達95％、光電製造業整體再利用率由80％提升至88％。新設(含擴建)園區事業廢棄物送至公營焚化設施比率目標小於1％。