臺積電攜手大咖 攻晶圓材料

臺積電（2330）後市看俏之餘，公司也積極攜手國際重量級夥伴部署更先進的技術，藉此維持領先地位。

全球微電子及相關奈米技術重磅機構比利時微電子研究中心（imec）昨（16）日宣佈，攜手半導體微影設備龍頭艾司摩爾（ASML）與臺積電，共同發表一套創新、穩健且可擴充的12吋晶圓整合技術路徑，用在基於2D材料的n型與p型場效電晶體（FET），推進12吋晶圓2D材料電晶體開發。

業界看好，相關創新突破，後續可望用於臺積電推進埃米世代更先進製程發展，並且對在A10（1奈米）之後的製程材料突破與應用有正面幫助，讓臺積電坐穩全球晶圓代工一哥寶座。

臺積電副總暨技術長曹敏表示，這爲推進半導體創新發展提供重要動力，我們聚焦爲從實驗室邁向晶圓廠的技術轉變降低風險和加速進展，確保開創性發現，特別是創新的通道材料，能夠快速有效地整合到先進製造，最終提供頂尖的解決方案。

比利時微電子研究中心說明，相關新平臺首次展示搭配50奈米閘極間距（CPP）的微型化nFET（採用二硫化鉬作爲通道材料）與pFET（二硫化鎢或二硒化鎢），並且取得良好的電流-電壓特性。

這些成果象徵着2D材料電晶體從實驗室邁向晶圓廠的關鍵進展，預期用於超高度微縮化的邏輯元件，以及後段製程和晶背應用。

2D過渡金屬二硫族化物（即TMD，例如二硫化鉬、二硫化鎢與二硒化鎢）有望延伸並擴展邏輯微縮技術的發展藍圖。當這些材料取代矽材，並作爲原子級超薄傳導通道進行元件整合時，能夠製出具備高性能的微縮化電晶體，對高度微縮的邏輯元件、後段製程與晶背應用具備發展潛力。