半導體資本支出財 設備股做大做強

【文／吳旻蓁】

臺積電加速推進二奈米制程與CoWoS等先進封裝擴產下，從廠務工程到前段與後段製程設備需求同步升溫。全球半導體投資週期延續，臺灣設備供應鏈也逐步切入關鍵製程環節，迎來顯著成長契機！

近年，ＡＩ算力對先進製程以及先進封裝的飢渴需求，促使科技大廠增加資本支出腳步不見緩，並讓全球半導體產業景氣循環維持強勁；從晶圓代工龍頭臺積電，到ＣＳＰ大廠如微軟、谷歌等，再到記憶體指標的美光與ＳＫ海力士，甚至各國政府推動的半導體補助計劃，都顯示出資本支出不僅反映產業景氣，更是未來技術競爭與產能佈局的重要指標。

由於從大型語言模型、雲端資料中心到邊緣運算設備，都需要大量先進晶片支撐，這些晶片往往採用最先進製程節點，如五奈米、三奈米甚至今年的二奈米等；而晶片複雜度的提高，也使得晶圓廠需要持續投入更昂貴的設備與製程技術。法人指出，ＡＩ需求正推動全球晶圓製造設備支出持續上升。根據半導體產業協會（SEMI）以設備原廠出貨角度預估，全球半導體制造設備市場規模將從二五年預計一三三○億美元、年增十三．七％，攀升至二六年的一四五○億美元及二七年的一五六○億美元。若此估算成真，將成爲首度突破一五○○億美元門檻的一年。

設備市場規模續創高

SEMI表示，ＡＩ相關投資推升先進製程、記憶體（含ＨＢＭ）及先進封裝的需求，促使前端與後端設備連續三年成長，並將ＷＦＥ（晶圓廠設備）視爲最大分項，今年預估達一一五七億美元、年增十一％。另外，報告也指出，測試設備與組裝封裝工具回溫明顯，今年測試設備預估增幅高達四八．一％，至一一二億美元；組裝封裝則預估成長十九．六％至六四億美元。

這場由全球半導體巨頭領銜的資本支出軍備競賽，正將半導體設備業推向一個前所未有的產值巔峰。臺積電作爲全球最大且技術最領先的晶圓代工廠，其資本支出往往直接影響整體設備產業與供應鏈景氣。近來，臺積電於法說會上宣佈今年資本支出介於五二○至五六○億美元之間，超越先前法人預估約四五○至五○○億美元，其中約七○到八○％用在先進製程（N3/N2）；約十％用在特殊製程；先進封裝、測試、光罩與其他則約佔十到二○％。

對臺積電而言，大規模資本支出除爲了滿足客戶需求，更是維持技術領先與產業護城河的重要手段。因先進製程的複雜度正呈現幾何級數增加，當晶圓製造進入二奈米ＧＡＡ（環繞閘極）架構時代，製程也必須仰賴高數值孔徑（High-NA）ＥＵＶ、原子層沉積（ＡＬＤ）、原子層蝕刻（ＡＬＥ）等高精確度設備，以實現奈米片結構並解決複雜的電路微縮與良率問題。也因此，設備商從原本的供應商角色，轉變爲決定晶圓廠良率的關鍵戰友；加上臺積電積極扶植本土供應鏈，對於臺廠而言，這亦是一大契機。

目前輝達（Nvidia）、蘋果（Apple）、超微（AMD）等ＡＩ與高效能運算晶片設計公司，都高度依賴臺積電先進製程產能，形成穩固的生態系。而根據摩根士丹利對臺積電的晶圓廠建置計劃研究（fab plan research），發現其擴產步調較先前預期更爲積極，且近期與臺積電的設備與化學材料供應商交流後發現，臺積電在基礎設施建設，特別是無塵室擴建方面的進度比原先預期更快。

從現在起至二七年底，臺積電預計將新建十二座前段晶圓廠，其中，包括位於亞利桑那與熊本的三奈米制程晶圓廠，同時也將興建四座先進封裝廠。因此摩根士丹利認爲，臺積電二七年晶圓製造設備（ＷＦＥ）資本支出可望年增二○到三○％。有鑑於此，摩根士丹利調升臺積電資本支出預測，將二七年由原先的五九○億美元上調至六五○億美元，二八年由六○○億美元調高至七○○億美元。而當前，全球半導體產業的目光已全然聚焦於臺積電將領銜量產的二奈米制程。據瞭解，臺積電在新竹寶山（Fab 20）與高雄（Fab 22）的二奈米基地已陸續投產，預計今年年底月產能最大將高達十四萬片，比市場預估的十萬片更多，創新制程量產一年就達海量，直逼三奈米今年將放大到的十六萬片。

設備廠含金量拉昇

對設備業而言，二奈米制程帶來的「資本支出財」含金量遠高於過往節點。法人指出，前段製程設備與關鍵零組件廠商包括中砂、漢唐、京鼎、辛耘、家登與帆宣等，而後段封測設備方面則包括志聖、弘塑、萬潤等，均有望受惠於晶圓廠資本支出持續擴大。

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