廣閎科搶電力革命商機

廣閎科（6693）搭上輝達「電力大革命」引爆的高壓直流（HVDC）大商機，旗下高中低壓MOSFET產品獲電源大廠採用，打入當紅的HVDC供應鏈，部分訂單能見度直達年底。

法人看好，隨着AI資料中心電源架構加速升級，廣閎科相關產品出貨放量，今年營收可望續創新高，年增雙位數百分比。

業界分析，隨着AI伺服器功耗快速拉昇，資料中心正從傳統交流電與低壓直流配電，逐步轉向400V、800V等HVDC新架構，相較現行48V、54V低壓直流匯流排需以大電流與粗銅線輸電，導致熱損耗與效率瓶頸，HVDC透過提高電壓、降低電流，可大幅減少傳輸損耗、提升能源效率，並改善散熱與佈線問題，被視爲AI資料中心電力系統的結構性升級。

在HVDC架構下，功率元件的耐壓能力、可靠度與效率要求全面提升，帶動高中低壓MOSFET與碳化矽（SiC）元件需求快速成長。

廣閎科表示，該公司已佈局高壓650V SiC Diode與MOSFET，可因應400VDC規格，並同步開發1200V SiC元件，對應未來800VDC電源架構，相關產品已導入客戶端進行驗證，爲後續放量奠定基礎。

廣閎科同步卡位HVDC分層降壓環節，推出48V架構所需的80至100V MOSFET，以及12V端的30至40V低阻抗高電流MOSFET，完整對應AI伺服器從高壓輸電、機櫃配電到板端供電的多段電力轉換需求。

法人補充，廣閎科產品線橫跨高、中、低壓，有助其在新電源架構中爭取更多設計導入機會。