美光Manassas廠年底投產 法人：無礙南亞科等供應鏈營運

美光發佈維吉尼亞州Manassas廠1αDRAM將在2026年底投產消息。美聯社

美光發佈維吉尼亞州Manassas廠1αDRAM將在2026年底投產消息，法人機構表示，本次並非新建DDR4廠，而是對已營運近20年以上的既有美國記憶體fab進行現代化升級與擴產，無礙南亞科（2408）華邦電等臺廠營運，因實際上全球DDR4供需結構並未立即改變。

分析師指出，Micron所稱Manassas DDR4 wafer supply的4倍提升，較可能反映1α節點導入、產品配置調整與既有fab現代化升級的綜合作用，而非單純新增大量global DRAM wafercapacity所驅動。換言之，美光本次維吉尼亞州佈局更接近既有DDR4 segmentationstrategy的延伸。

從投資角度看，美光此次佈局並不代表全面回頭押注commodity DDR4，而是在主流DRAM資源持續轉向HBM、DDR5與AI memory的背景下，透過美國本土製造、長生命週期應用與differentiated fab strategy，維持legacy memory產品線的供應能力與戰略定位，特別是在全球半導體supply-chain de-risking趨勢下，確保國防、航太、工業與關鍵基礎設施使用的記憶體具備美國本土供應來源，可降低對海外供應鏈的依賴風險。

對產業而言，leading-edge DRAM持續向AI、DDR5集中，legacy memory則更偏向長生命週期、特殊應用與區域供應鏈需求的產品組合管理。

對臺灣記憶體廠而言，美光此次擴充1αDDR4、LP4產能的影響呈現分化。南亞科因產品結構仍以standard∕commodity DRAM爲主，DDR4爲重要產品組合之一，因此需留意美光佈局可能影響市場對legacy DRAM供給收縮程度的預期。然而，考量Manassas主要聚焦long-lifecycle與特殊應用市場，其對南亞科核心commodity DRAM業務的直接基本面影響可能相對有限。

相較之下，華邦電直接影響亦相對有限，因其產品組合除Specialty DRAM外，尚涵蓋NORFlash與embedded memory。不過在Made in America與supply-chain de- risking趨勢下，美國本土記憶體供應能力可能改變特殊應用市場競爭格局，值得後續觀察。